传国产内存厂商长鑫存储获准进口美系设备!落后美光8年 没法追赶

5月10日消息,据英国《金融时报》9日引述未具名消息人士的话报导称,中国DRAM芯片制造商长鑫存储经过数月后终于确认,其向美国厂商订购的芯片制造设备不受美国出口管制影响。

长鑫存储是目前中国大陆唯一一家能运用20nm以下制程生产DRAM芯片的厂商。去年10月7日,美国出台了对华半导体出口限制政策,不仅限制了先进芯片、设备的对华出口,长鑫存储等芯片制造商被迫暂停扩产计划。

现在长鑫存储确认进口美系设备不受出口管制影响,这也意味着其可以继续扩产计划。报道引述消息称,即便存储市场景气度欠佳,长鑫存储今年的扩产计划依旧极具野心;该公司计划引进更多中国设备供应商,资本支出可能因此增加50亿美元以上,因为需要额外资金来测试相对不成熟的本土设备。

有鉴于此,长鑫存储打算赴科创板IPO募资,目前正在跟两家潜在承销商讨论有关事宜。此前消息显示,长鑫存储的估值已经达到了1000亿元。

目前尚不清楚长鑫存储将向哪些美国半导体设备厂商订购设备,但蚀刻机制造商泛林集团(Lam Research)4月下旬曾表示,已收到了美国政府对去年10月出台的对华出口管制新规的澄清,发现原本认为受禁的价值“数亿美元”的设备可以对华出口。

晶圆检测设备制造商科磊(KLA)也释放了类似的信息。但是他们均未提及会向哪些中国客户增加额外的产品销售。

需要指出的是,这并不说泛林集团和科磊可以向中国客户销售美国新规限制中的设备,而长鑫存储已量产的是19nm工艺的DRAM,其扩产所需的设备也并不在美国新规的限制当中。

资料显示,长鑫存储2022年的产能目标是12万片晶圆/月,未来的产能目标是30万片晶圆/月。不过,一不愿具名的中国半导体顾问透露,目前长鑫存储的技术约落后美光(Micron)八年、四个世代,目前并无明确赶上的路径。

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